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　對所有電子元件的生產(chǎn)而言測試速度都是非常重要的，在RF測試能夠進(jìn)行之前，必須測試這些器件的直流工作狀態(tài)。對于二極管來說，這包括正向壓降、反響擊穿電壓和結(jié)漏電流，而對于三極管，還包括不同的結(jié)擊穿電壓、結(jié)漏電流、集電極或漏極特性等。本文探討了通過選擇正確的測試儀器以及適當(dāng)?shù)卦O(shè)定來加速這些測試的方法。

　　對所有的電子元件的制造商而言，測試速度都是很重要的，而對于低價格的二、三引腳元件如二、三極管來說卻更是至關(guān)重要。在RF測試能夠進(jìn)行之前，必須測試這些器件的直流工作狀態(tài)。對于二極管來說，包括正向壓降、反響擊穿電壓和結(jié)漏電流。對于三極管，這包括不同的結(jié)擊穿電壓、結(jié)漏電流、集電極或漏極特性等。選擇正確的測試儀器并通過適當(dāng)?shù)脑O(shè)定，能夠極大地加速這些測試過程。

　　儀器選擇

　　盡管可以采用各種數(shù)字萬用表(DMM)、電壓源和電流源來實現(xiàn)測試，但是與將所有這些功能包含在一個單元內(nèi)的測試系統(tǒng)相比，將占用更多的機(jī)架空間、需要學(xué)習(xí)多種命令集，系統(tǒng)編程和維護(hù)也更復(fù)雜。zui重要的是，觸發(fā)時間變復(fù)雜了，且觸發(fā)的不確定性增加了，而協(xié)調(diào)分立儀器的操作增加了總線的通訊流量，降低了測試效率。

　　要解決這些問題，首先是將幾個功能整合到一個儀器中。源-測量單元(SMU)將精密電壓源、精密電流源、電壓表、電流表整合到一個儀器中，節(jié)約了空間并簡化了設(shè)備間的操作。其次是消除儀器和控制計算機(jī)之間的通訊延時。

　　降低通訊開銷

　　隨著儀器和計算機(jī)間的高速通訊成為可能，通過GPIB(IEEE-488總線)鏈接為測試的每個步驟提供命令和控制，使得測試系統(tǒng)自動化更為廣泛。盡管這與以前相比有很大的進(jìn)步，但還是具有明顯的速度限制。首先，GPIB需要可觀的通訊開銷。GPIB用作實時測試的另外一個缺點是控制通常來自總線的另外一端-運行Windows操作系統(tǒng)的PC，Windows在通訊響應(yīng)時具有顯著的延時，并且不可預(yù)測，這使得在測試環(huán)境中使用PC作為*的控制器時，多個儀器的同步幾乎是不可能的。

圖1：二極管測試時的測量設(shè)備設(shè)置。

　　這個問題的解決辦法是使用GPIB對儀器進(jìn)行預(yù)配置，然后讓儀器自己執(zhí)行測試。許多現(xiàn)代儀器擁有源存儲器列表(source memory list)編程功能，允許設(shè)立和運行多達(dá)100個完整的測試序列而無須PC干預(yù)。每個測試可包含不同的儀器配置和測試條件，可包括源的配置、測量、條件跳轉(zhuǎn)、數(shù)學(xué)功能和通過/失敗極限測試和存儲功能。某些單元可在直流或脈沖模式下，采用不同的參數(shù)和時間安排運行，使得有可能減慢較敏感的測試，或加速其它測試以優(yōu)化整個測試時間進(jìn)程。

　　當(dāng)儀器基本上自主運行時，GPIB的角色就是測試前下載測試程序以及測試后上傳結(jié)果到PC，兩者都不干涉實際測試。

　　儀器觸發(fā)

　　為實現(xiàn)簡單的電流-電壓掃描(I-V)，SMU輸出一系列電壓同時測量對應(yīng)的電流。在每個電壓級，SMU首先提供一個電壓。電路中的電壓變化將引起一個瞬態(tài)電流，因此對測試完整性而言在激勵和測量之間設(shè)定一個合適的延時很關(guān)鍵。在不同的范圍內(nèi)儀器將自動調(diào)節(jié)延時來產(chǎn)生*結(jié)果。然而，給測試電路附加額外的部件，例如長電纜、開關(guān)矩陣等，這將改變電路的瞬態(tài)特性。對于高阻器件，較長的測試時間通常是必要的。在這些情況下，用戶需要定義額外的延時以維持測量的完整性。

　　二極管的測試

　　我們的*個例子包括測試儀器、器件傳遞裝置(handler)和PC(圖1)，這里需要注意如何通過內(nèi)部編程來消除大多數(shù)的GPIB通訊來加速測試。

　　二極管的生產(chǎn)測試包括驗證步驟確定待測二極管的極性，然后測試正向壓降、反向擊穿電壓以及漏電流。

　　正向壓降是指在某些規(guī)定的正向電流時二極管兩端的電壓，通過在二極管上通過規(guī)定電流，然后在其兩端測量電壓來得到。反向擊穿電壓(V_RM或V_BR)是電流突然無限增加時的反向電壓，這通過施加反向電流并測量二極管兩端的電壓來測量。讀出的電壓與特定的zui低極限相比較以決定測試通過或失敗。漏電流I_R有時也稱為反向飽和電流，I_S是給二極管施加小于反向擊穿電壓的一個電壓時的電流，它是通過施加一個特定的反向電壓并測量產(chǎn)生的電流來得到的。編寫程序來在源/存儲器儀器的存儲器位置(memory location)中設(shè)置二極管的測試，然后通過IEEE總線傳來的一個觸發(fā)開始執(zhí)行，儀器按照存儲器中的設(shè)定編程位置執(zhí)行操作，無須計算機(jī)的干預(yù)。

圖2：在三極管測試中一般使用兩臺SMU，*臺在HBT基極和發(fā)射極之間，第二臺在發(fā)射極和集電極之間。

　　RF功率三極管測試

　　盡管有許多類型的RF三極管存在，但我們以異質(zhì)結(jié)雙極性三極管(HBT)為例，類似的測試可用于其它器件。由于三極管是個三端器件，通常需要使用兩臺SMU。圖2顯示兩臺SMU連接到器件，*臺在HBT基極和發(fā)射極之間，第二臺在發(fā)射極和集電極之間。為了獲取HBT的集電極曲線，基極SMU設(shè)置成輸出電流并測量電壓。設(shè)好*個基極電流后，在掃描集電極電壓的同事測量集電極電流。然后基極電流增加一級，再次掃描集電極電壓并同時測量集電極電流。重復(fù)該過程直到獲得不同基極電流情況下所有的集電極I-V曲線。

　　儀器的同步

　　由于希望兩臺儀器都被編程(避免GPIB延遲)，我們希望測試設(shè)置中的所有儀器同步。開始，這并不成為問題。例如，如果幾臺SMU擁有同樣的固件，且采用相同的測試參數(shù)對其編程，每一步的執(zhí)行時間將相同。而困難來自存儲器位置調(diào)用和自動距離修正(auto-ranging)步驟，這些步驟花費的時間不確定。

　　在類似這種情況下需要使用一個外部的、專門的觸發(fā)控制器，以保證多個儀器的測量同時發(fā)生。在測試系統(tǒng)采用了不同廠家的設(shè)備，或者即使來自同樣廠家但觸發(fā)方法不同時，這特別有用。

　　過程如下所述(采用的實例參照了Keithley儀器，但類似的辦法可用于其它廠家的儀器)：

1．觸發(fā)控制器輸出一個觸發(fā)信號到每臺儀器。

2．從存儲器調(diào)用源存儲器位置。

3．使能所有儀器的源輸出。

4．每臺儀器按照用戶定義的延時執(zhí)行。

5．一旦完成延時操作每臺儀器給控制器輸出一個觸發(fā)信號。

6。觸發(fā)控制器等待每臺儀器輸出的觸發(fā)信號(延時輸出)。

7．觸發(fā)控制器給每臺儀器發(fā)送一個觸發(fā)信號(測量輸入)。

8．每臺儀器開始測量操作。

9．完成測量后，每臺儀器給控制器發(fā)出一個觸發(fā)信號。

10．觸發(fā)控制器等待每臺儀器輸出的觸發(fā)信號(測量輸出)。

11．回到步驟1開始下一測試。

圖3：a：集電極-發(fā)射極擊穿電壓，基極開路；b：集電極-發(fā)射極擊穿電壓，基極短路；c：集電極關(guān)斷電流，ICBO，及集電極-基極擊穿電壓，發(fā)射極開路。

　　特定的三極管測試

　　HBT通常有兩個重要的擊穿電壓需要測量：*個是集電極-發(fā)射極擊穿電壓，可在基極開路或短路時測，圖3a顯示基極開路(BV_CEO或V _(BR)CEO)下測量集電極-發(fā)射極擊穿電壓的設(shè)置，圖3b顯示基極短路(BV_CES或V_(BR)CES)情況下測量集電極-發(fā)射極擊穿電壓的設(shè)置。另一個擊穿電壓是集電極-基極擊穿電壓(BV_CBO或V_(BR)CBO)，通常射極開路測量，圖3c顯示了該測試設(shè)置。在這些測量中，源-測量單元掃描HBT上的電壓同時測量電流。在達(dá)到擊穿電壓之前，電流將保持非常恒定，達(dá)到擊穿電壓后，電流將突然增加。

　　通常RF功率三極管要測的其他參數(shù)有集電極-發(fā)射極持續(xù)電壓，BV_CEO(sus)或V_CE(sus)，在基極-發(fā)射極之間的結(jié)上采用反向偏置時集電極-發(fā)射極的擊穿電壓(BV_CEV或BV_CEX),以及集電極開路時的發(fā)射極-基極擊穿電壓(BV_EBO)。

　　結(jié)漏電流

　　描述器件關(guān)斷時的漏電流也非常重要，因為在器件不工作時，漏電流將浪費功率，會縮短電池供電設(shè)備的工作時間。zui常測量的漏電流參數(shù)是集電極關(guān)斷電流(I_CBO)，在集電極和基極之間測量，發(fā)射極開路(圖3c)。基極反向偏置漏電流，也稱為發(fā)射極關(guān)斷電流或發(fā)射極-基極關(guān)斷電流(I_EBO)，是另一個zui重要的漏電流，它是器件關(guān)斷時基極的漏電流。（完）